Схемотехника для начинающих

Статьи

Практическое использование инструментальных (измерительных) усилителей (добавлено30 марта 2021 в 22:21)

В данной статье приводится базовый обзор инструментальных (измерительных) усилителей, за которым следуют несколько реальных применений, в которых можно найти эту схему.

Что такое "точка децибельной компрессии" или P1dB (добавлено1 декабря 2020 в 06:44)

P1dB – одна из самых важных характеристик усилителей мощности. Рассмотрим, что это такое, и как ее определить.

Типы и применение токовых зеркал (добавлено16 ноября 2020 в 06:27)

Токовое зеркало является важным аналоговым строительным блоком, который находит применение в таких различных областях, как смещение по постоянному току и обработка сигналов в токовом режиме. Узнайте больше об аналоговом проектировании из этого введения в схемы токовых зеркал, в том числе и о том, как эта схема реализована в аналоговых микросхемах.

Удобное управление током нагрузки с помощью преобразователя напряжения в ток (добавлено8 ноября 2020 в 04:57)

Данная статья представляет простой способ точного управления током через светодиод (или через типовую резистивную нагрузку).

Понятие сдвига фазы в аналоговых цепях (добавлено19 июня 2020 в 23:11)

Рассмотрим, что такое сдвиг фазы, и как это фундаментальное электрическое явление связано с различными конфигурациями схем.

Основы работы схемы светодиодного драйвера со стабилизацией тока (добавлено5 марта 2020 в 04:27)

В данном техническом обзоре обсуждаются основы и реализация схемы драйвера со стабилизацией тока для осветительных светодиодов.

Проходной ключ на MOSFET транзисторах (добавлено1 марта 2020 в 09:36)

В данном техническом обзоре представлена простая схема на MOSFET транзисторах, которую можно использовать как управляемый напряжением проходной ключ.

Быстрый анализ схем ключей/драйверов на биполярном транзисторе (добавлено24 февраля 2020 в 17:53)

В данном кратком техническом обзоре объясняется быстрая и простая процедура оценки схемы ключа/драйвера на базе биполярного NPN транзистора.

Дифференциальная пара на MOSFET транзисторах с активной нагрузкой: измерение лямбды, прогнозирование усиления (добавлено24 февраля 2020 в 14:28)

В данной статье мы рассмотрим формулу для дифференциального усиления и используем LTspice, чтобы найти значение параметра модуляции длины канала, называемого лямбда (λ).

Экспоненциальный и кусочно-линейный анализ диодных схем с прямым смещением (добавлено22 февраля 2020 в 18:30)

В данной статье представлены три метода анализа, в которых диод моделируется с использованием экспоненциальной зависимости тока от напряжения или линейной зависимости на основе пороговых значений.

Упрощенные методы анализа схем с диодами с прямым смещением (добавлено22 февраля 2020 в 16:50)

В данной статье описываются два метода, которые мы используем для оценки токов и напряжений, присутствующих в цепи, которая включает в себя один или несколько диодов.

Экспоненциальная зависимость тока от напряжения у диодов при прямом смещении (добавлено22 февраля 2020 в 14:11)

Данная статья предоставляет основную информацию об электрическом поведении диодов, смещенных в прямом направлении.

Дифференциальная пара на MOSFET транзисторах с активной нагрузкой: выходное сопротивление (добавлено19 февраля 2020 в 22:19)

В данной статье мы обсудим выходное сопротивление MOSFET транзисторов для малых сигналов, а также спрогнозируем коэффициент усиления дифференциальной пары с активной нагрузкой.

Преимущества дифференциальной пары на MOSFET транзисторах с активной нагрузкой (добавлено17 февраля 2020 в 04:27)

В данной статье мы обсудим два преимущества использования активной нагрузки: улучшенные условия смещения и преобразование дифференциального сигнала в несимметричный.

Как нагрузочная прямая используется в проектировании схем (добавлено16 февраля 2020 в 02:12)

Из данной статьи из серии часто задаваемых инженерных вопросах (FEQ, Frequent Engineering Questions) вы узнаете, как использовать нагрузочную прямую при проектировании схем.

Дифференциальная пара на MOSFET транзисторах с активной нагрузкой (добавлено9 февраля 2020 в 16:37)

Рассмотрим довольно простую, но очень выгодную модификацию версии дифференциальной пары на MOSFET транзисторах, использующей резисторы в цепях стоков.

Базовая схема дифференциальной пары на MOSFET транзисторах (добавлено30 января 2020 в 19:34)

В данной статье мы рассмотрим наиболее простую версию этой базовой схемы усилителя, применяемой в интегральных микросхемах.

Базовая схема источника стабилизированного тока на MOSFET транзисторах (добавлено4 января 2020 в 22:18)

Рассмотрим простую версию схемы, которая имеет важное значение в разработке аналоговых интегральных микросхем.

Отрицательная обратная связь, часть 10: устойчивость во временной области (добавлено17 октября 2019 в 09:30)

Переходная характеристика усилителя с отрицательной обратной связью может помочь нам понять природу устойчивости и дать полезную информацию о характеристиках устойчивости конкретной схемы.

Отрицательная обратная связь, часть 9: разрыв петли (добавлено16 октября 2019 в 21:23)

Простая методика моделирования «с разрывом петли обратной связи» обеспечивает удобный анализ устойчивости, особенно в случае сложных схем. Рассмотрим ее.

Отрицательная обратная связь, часть 8: анализ устойчивости трансимпедансного усилителя (добавлено16 октября 2019 в 05:15)

Методы, обсуждаемые в предыдущих статьях, могут помочь нам понять и устранить проблемы с устойчивостью, наблюдаемые в базовой схеме, используемой для усиления сигналов фотодиодов.

Отрицательная обратная связь, часть 7: частотно-зависимая обратная связь (добавлено16 октября 2019 в 02:27)

Рассмотрим, почему частотная характеристика сети обратной связи может серьезно, а иногда и неожиданно ухудшить стабильность.

Отрицательная обратная связь, часть 6: новый и улучшенный анализ устойчивости (добавлено14 октября 2019 в 03:31)

Данная статья продемонстрирует удобный альтернативный подход к оценке устойчивости с помощью коэффициента усиления усилителя без обратной связи и коэффициента передачи цепи обратной связи.

Отрицательная обратная связь, часть 5: запас по усилению и запас по фазе (добавлено13 октября 2019 в 23:46)

Рассмотрим, как использовать моделирование в частотной области для анализа петлевого усиления и оценки устойчивости схемы усилителя.

Отрицательная обратная связь, часть 4: понятие устойчивости (добавлено13 октября 2019 в 18:51)

Почему усилители с отрицательной обратной связью подвержены возбуждению? Каков основной критерий устойчивости? Давайте разберемся.

Отрицательная обратная связь, часть 3: улучшение шумовых характеристик, линейности и импеданса (добавлено11 октября 2019 в 18:25)

Вы можете использовать отрицательную обратную связь, чтобы увеличить у вашего усилителя отношение сигнал/шум, уменьшить его нелинейные искажения и улучшить характеристики входного и выходного импеданса.

Отрицательная обратная связь, часть 2: снижение чувствительности к коэффициенту усиления и увеличение полосы пропускания (добавлено11 октября 2019 в 09:34)

Рассмотрев общую структуру отрицательной обратной связи, мы теперь продемонстрируем, как отрицательная обратная связь оказывает положительное влияние на две важные характеристики схем усилителей.

Отрицательная обратная связь, часть 1: общая структура и основные понятия (добавлено11 октября 2019 в 03:50)

Данная статья, первая в серии, познакомит вас с основными понятиями, необходимыми для понимания и анализа усилителей с отрицательной обратной связью.

Понятие автоматической регулировки усиления (добавлено28 июля 2019 в 00:24)

Как разработчики справляются с системой, у которой амплитуда входного сигнала очень изменчива, но которая при этом требует довольно постоянной амплитуды выходного сигнала? Давайте взглянем.

Преобразование треугольник/звезда: что за сценой? (добавлено17 июня 2019 в 12:15)

Преобразования треугольник/звезда позволяют нам заменить часть схемы другой схемой, которая, хотя и эквивалентна в поведении, но может значительно упростить анализ общей схемы. Здесь мы узнаем, откуда берутся эти преобразования.