По тегу «MOSFET / МОП транзистор» найдено постов: 17
посты 1 – 17

Добавлено 31 марта 2020 в 18:22
Понятие сопротивления сток-исток MOSFET транзистора в открытом состоянии
В данном техническом обзоре рассматриваются некоторые полезные подробности, касающиеся одного из основных параметров MOSFET транзисторов, называемого сопротивлением канала сток-исток в открытом состоянии (или в англоязычной литературе, «on-state...
Добавлено 1 марта 2020 в 09:36
Проходной ключ на MOSFET транзисторах
В данном техническом обзоре представлена простая схема на MOSFET транзисторах, которую можно использовать как управляемый напряжением проходной ключ. Вспомогательная информация Полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) Обычно...
Добавлено 28 февраля 2020 в 00:21
Модуляция длины канала MOSFET транзистора
В данном кратком техническом обзоре описывается модуляция длины канала и то, как она влияет на вольт-амперные характеристики MOSFET транзистора. Вспомогательная информация Полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) Примечание:...
Добавлено 24 февраля 2020 в 14:28
Дифференциальная пара на MOSFET транзисторах с активной нагрузкой: измерение лямбды, прогнозирование усиления
В данной статье мы рассмотрим формулу для дифференциального усиления и используем LTspice, чтобы найти значение параметра модуляции длины канала, называемого лямбда (λ). Вспомогательная информация Схемы на дискретных полупроводниковых...
Добавлено 19 февраля 2020 в 22:19
Дифференциальная пара на MOSFET транзисторах с активной нагрузкой: выходное сопротивление
В данной статье мы обсудим выходное сопротивление MOSFET транзисторов для малых сигналов, а также спрогнозируем коэффициент усиления дифференциальной пары с активной нагрузкой. Вспомогательная информация Схемы на дискретных полупроводниковых...
Добавлено 17 февраля 2020 в 04:27
Преимущества дифференциальной пары на MOSFET транзисторах с активной нагрузкой
В данной статье мы обсудим два преимущества использования активной нагрузки: улучшенные условия смещения и преобразование дифференциального сигнала в несимметричный. Вспомогательная информация Схемы на дискретных полупроводниковых компонентах:...
Добавлено 9 февраля 2020 в 16:37
Дифференциальная пара на MOSFET транзисторах с активной нагрузкой
Рассмотрим довольно простую, но очень выгодную модификацию версии дифференциальной пары на MOSFET транзисторах, использующей резисторы в цепях стоков. Вспомогательная информация Схемы на дискретных полупроводниковых компонентах: Дифференциальный...
Добавлено 30 января 2020 в 19:34
Базовая схема дифференциальной пары на MOSFET транзисторах
В данной статье мы рассмотрим наиболее простую версию этой базовой схемы усилителя, применяемой в интегральных микросхемах. Вспомогательная информация Схемы на дискретных полупроводниковых компонентах: Дифференциальный усилитель Схемы на дискретных...
Добавлено 4 января 2020 в 22:18
Базовая схема источника стабилизированного тока на MOSFET транзисторах
Рассмотрим простую версию схемы, которая имеет важное значение в разработке аналоговых интегральных микросхем. Вспомогательная информация Биполярные транзисторы: токовые зеркала Схемы на дискретных полупроводниковых элементах: токовое зеркало Полевые...
Добавлено 29 октября 2019 в 04:22
Как буферизовать выход операционного усилителя для получения более высокого тока, часть 4
Если для выходного буфера операционного усилителя вместо биполярного транзистора вы решили выбрать MOSFET транзистор, то вам необходимо учесть взаимосвязь между емкостью затвора и неустойчивостью усилителя. Вспомогательная информация Введение...
Добавлено 9 октября 2019 в 14:25
Как буферизовать выход операционного усилителя для получения более высокого тока, часть 3
Предыдущие две статьи фокусировались на биполярных транзисторах. В этой статье мы рассмотрим использование для буфера MOSFET транзистора, вместо биполярного транзистора. Вспомогательная информация Введение в операционные усилители Аудиоусилитель...
Добавлено 8 ноября 2018 в 23:22
Тиристоры с полевым управлением
Две сравнительно недавние технологии, предназначенные для снижения требований к «управлению» (к отпирающему току управляющего электрода) классическими тиристорными устройствами, – это тиристор с МОП управляющим электродом (MOS-gated...
Добавлено 21 июля 2018 в 10:06
Полевые транзисторы с изолированным затвором со встроенным каналом
Полевые транзисторы с изолированным затвором (IGFET) – это однополярные устройства, как и обычные полевые транзисторы (JFET): то есть управляемый ток не должен проходить через PN переход. В транзисторе имеется PN переход, но его единственное назначение...
Добавлено 7 января 2017 в 08:50
Полупроводниковые приборы в SPICE
Программа моделирования электронных схем SPICE («simulation program, integrated circuit emphesis») предоставляет для полупроводниковых приборов элементы схем и модели. Имена элементов в SPICE начинаются с букв d, q, j или m, что соответствует...
Добавлено 4 ноября 2016 в 22:00
Полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET)
Полевой транзистор с изолированным затвором (IGFET, insulated-gate field-effect transistor), также известный, как полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET), является разновидностью полевого транзистора. В настоящее время большинство...
Добавлено 29 февраля 2016 в 00:00
Создание зарядного устройства, управляемого Arduino
Arduino и добавленная к ней схема заряда могут быть использованы для мониторинга и управления зарядкой никель-металл-гидридных аккумуляторов, например, так: Законченное устройство Аккумуляторные батареи являются отличным способом для питания...
Добавлено 5 декабря 2015 в 22:45
Добавьте защиту от короткого замыкания в ваш повышающий преобразователь
Повышающий преобразователь – это DC-DC преобразователь, используемый для получения выходного напряжения, которое выше входного. Повышающие преобразователи также используются для управления светодиодами, включенными последовательно, в таких устройствах,...