По тегу «MOSFET / МОП транзистор» найдено постов:17
посты1 –17

Добавлено31 марта 2020 в 18:22

Понятие сопротивления сток-исток MOSFET транзистора в открытом состоянии

В данном техническом обзоре рассматриваются некоторые полезные подробности, касающиеся одного из основных параметров MOSFET транзисторов, называемого сопротивлением канала сток-исток в открытом состоянии (или в англоязычной литературе, «on-state...
Добавлено1 марта 2020 в 09:36

Проходной ключ на MOSFET транзисторах

В данном техническом обзоре представлена простая схема на MOSFET транзисторах, которую можно использовать как управляемый напряжением проходной ключ. Вспомогательная информация Полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) Обычно...
Добавлено28 февраля 2020 в 00:21

Модуляция длины канала MOSFET транзистора

В данном кратком техническом обзоре описывается модуляция длины канала и то, как она влияет на вольт-амперные характеристики MOSFET транзистора. Вспомогательная информация Полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) Примечание:...
Добавлено24 февраля 2020 в 14:28

Дифференциальная пара на MOSFET транзисторах с активной нагрузкой: измерение лямбды, прогнозирование усиления

В данной статье мы рассмотрим формулу для дифференциального усиления и используем LTspice, чтобы найти значение параметра модуляции длины канала, называемого лямбда (λ). Вспомогательная информация Схемы на дискретных полупроводниковых...
Добавлено19 февраля 2020 в 22:19

Дифференциальная пара на MOSFET транзисторах с активной нагрузкой: выходное сопротивление

В данной статье мы обсудим выходное сопротивление MOSFET транзисторов для малых сигналов, а также спрогнозируем коэффициент усиления дифференциальной пары с активной нагрузкой. Вспомогательная информация Схемы на дискретных полупроводниковых...
Добавлено17 февраля 2020 в 04:27

Преимущества дифференциальной пары на MOSFET транзисторах с активной нагрузкой

В данной статье мы обсудим два преимущества использования активной нагрузки: улучшенные условия смещения и преобразование дифференциального сигнала в несимметричный. Вспомогательная информация Схемы на дискретных полупроводниковых компонентах:...
Добавлено9 февраля 2020 в 16:37

Дифференциальная пара на MOSFET транзисторах с активной нагрузкой

Рассмотрим довольно простую, но очень выгодную модификацию версии дифференциальной пары на MOSFET транзисторах, использующей резисторы в цепях стоков. Вспомогательная информация Схемы на дискретных полупроводниковых компонентах: Дифференциальный...
Добавлено30 января 2020 в 19:34

Базовая схема дифференциальной пары на MOSFET транзисторах

В данной статье мы рассмотрим наиболее простую версию этой базовой схемы усилителя, применяемой в интегральных микросхемах. Вспомогательная информация Схемы на дискретных полупроводниковых компонентах: Дифференциальный усилитель Схемы на дискретных...
Добавлено4 января 2020 в 22:18

Базовая схема источника стабилизированного тока на MOSFET транзисторах

Рассмотрим простую версию схемы, которая имеет важное значение в разработке аналоговых интегральных микросхем. Вспомогательная информация Биполярные транзисторы: токовые зеркала Схемы на дискретных полупроводниковых элементах: токовое зеркало Полевые...
Добавлено29 октября 2019 в 04:22

Как буферизовать выход операционного усилителя для получения более высокого тока, часть 4

Если для выходного буфера операционного усилителя вместо биполярного транзистора вы решили выбрать MOSFET транзистор, то вам необходимо учесть взаимосвязь между емкостью затвора и неустойчивостью усилителя. Вспомогательная информация Введение...
Добавлено9 октября 2019 в 14:25

Как буферизовать выход операционного усилителя для получения более высокого тока, часть 3

Предыдущие две статьи фокусировались на биполярных транзисторах. В этой статье мы рассмотрим использование для буфера MOSFET транзистора, вместо биполярного транзистора. Вспомогательная информация Введение в операционные усилители Аудиоусилитель...
Добавлено8 ноября 2018 в 23:22

Тиристоры с полевым управлением

Две сравнительно недавние технологии, предназначенные для снижения требований к «управлению» (к отпирающему току управляющего электрода) классическими тиристорными устройствами, – это тиристор с МОП управляющим электродом (MOS-gated...
Добавлено21 июля 2018 в 10:06

Полевые транзисторы с изолированным затвором со встроенным каналом

Полевые транзисторы с изолированным затвором (IGFET) – это однополярные устройства, как и обычные полевые транзисторы (JFET): то есть управляемый ток не должен проходить через PN переход. В транзисторе имеется PN переход, но его единственное назначение...
Добавлено7 января 2017 в 08:50

Полупроводниковые приборы в SPICE

Программа моделирования электронных схем SPICE («simulation program, integrated circuit emphesis») предоставляет для полупроводниковых приборов элементы схем и модели. Имена элементов в SPICE начинаются с букв d, q, j или m, что соответствует...
Добавлено4 ноября 2016 в 22:00

Полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET)

Полевой транзистор с изолированным затвором (IGFET, insulated-gate field-effect transistor), также известный, как полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET), является разновидностью полевого транзистора. В настоящее время большинство...
Добавлено29 февраля 2016 в 00:00

Создание зарядного устройства, управляемого Arduino

Arduino и добавленная к ней схема заряда могут быть использованы для мониторинга и управления зарядкой никель-металл-гидридных аккумуляторов, например, так: Законченное устройство Аккумуляторные батареи являются отличным способом для питания...
Добавлено5 декабря 2015 в 22:45

Добавьте защиту от короткого замыкания в ваш повышающий преобразователь

Повышающий преобразователь – это DC-DC преобразователь, используемый для получения выходного напряжения, которое выше входного. Повышающие преобразователи также используются для управления светодиодами, включенными последовательно, в таких устройствах,...