По тегу «Электроника» найдено постов:97
посты31 –60

Добавлено23 сентября 2018 в 12:06

Динистор (диод Шокли)

Образцы диодов Шокли 1950-х годов с завода Пало-Альто Шокли Наше исследование тиристоров начинается с устройства, называемого четырехслойным диодом, также известного как диод PNPN, динистор или диод Шокли по имени его изобретателя Уильяма Шокли....
Добавлено22 сентября 2018 в 13:45

Газоразрядные лампы

Если вы когда-нибудь видели грозу, то вы видели электрический гистерезис в действии (и, вероятно, не понимали, что видите). Действие сильного ветра и дождя накапливает огромные статические электрические заряды между облаком и землей, а также между облаками....
Добавлено19 сентября 2018 в 22:19

Гистерезис

Тиристоры – это класс полупроводниковых компонентов, проявляющих гистерезис; это свойство, при котором система не может вернуться в исходное состояние после устранения какой-либо причины изменения состояния. Очень простой пример гистерезиса –...
Добавлено17 сентября 2018 в 21:34

IGBT транзисторы

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Из-за своих изолированных затворов IGFET транзисторы всех типов имеют чрезвычайно высокий коэффициент усиления по току: не может быть устойчивого тока затвора, если нет замкнутой цепи затвора,...
Добавлено21 июля 2018 в 10:06

Полевые транзисторы с изолированным затвором со встроенным каналом

Полевые транзисторы с изолированным затвором (IGFET) – это однополярные устройства, как и обычные полевые транзисторы (JFET): то есть управляемый ток не должен проходить через PN переход. В транзисторе имеется PN переход, но его единственное назначение...
Добавлено19 июля 2018 в 22:22

Введение в полевые транзисторы с изолированным затвором

Как было сказано в предыдущей главе, существует более одного типа полевых транзисторов. Полевой транзистор (или ПТ, JFET) использует напряжение, приложенное к PN переходу, смещенному в обратном направлении, для управления шириной обедненной области этого...
Добавлено12 мая 2018 в 16:52

Активный режим работы полевого транзистора

Полевые транзисторы (JFET), как и биполярные транзисторы, способны «удерживать» ток в режиме между отсечкой и насыщением, называемом активным режимом. Чтобы лучше понять работу полевого транзистора, давайте проведем моделирование в SPICE,...
Добавлено10 апреля 2018 в 13:11

Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра

Тестирование полевого транзистора (JFET) с помощью мультиметра может показаться относительно простой задачей, поскольку может показаться, что в нем для проверки есть только один PN переход: измеряется либо между затвором и истоком, либо между затвором...
Добавлено5 апреля 2018 в 07:38

Полевой транзистор как коммутатор (JFET)

Как и биполярный родственник, полевой транзистор может использоваться в качестве коммутатора вкл/выкл, управляющего подачей питания на нагрузку. Давайте начнем исследование использование полевого транзистора в качестве коммутатора со знакомой схемы включения...
Добавлено24 марта 2018 в 15:35

Введение в полевые транзисторы (JFET)

Транзистор представляет собой линейное полупроводниковое устройство, которое управляет током с помощью электрического сигнала меньшей мощности. Транзисторы можно грубо сгруппировать в два основных типа: биполярные и полевые. В предыдущей главе мы изучили...
Добавлено26 февраля 2018 в 07:18

Особенности биполярных транзисторов

Идеальный транзистор будет показывать нулевые искажения при усилении сигнала. Его коэффициент усиления будет одинаков на всех частотах. Он будет работать с токами в сотни ампер при температурах в сотни градусов Цельсия. На практике, доступные устройства...
Добавлено16 февраля 2018 в 07:56

Параметры и корпуса биполярных транзисторов

Как и все электрические и электронные компоненты, транзисторы имеют ограничения по напряжению и току, при которых они могут работать без повреждений. Поскольку транзисторы более сложны, чем некоторые другие компоненты, они, как правило, имеют больше видов...
Добавлено2 февраля 2018 в 13:15

Токовые зеркала (биполярные транзисторы)

Часто используемой схемой на биполярных транзисторах является так называемое токовое зеркало, которые служит в качестве простого стабилизатора тока, обеспечивающего почти неизменный ток через нагрузку в широком диапазоне сопротивлений нагрузки. Мы...
Добавлено26 января 2018 в 06:04

Входное и выходное сопротивления усилителя (БТ, BJT)

Входное сопротивление усилителя значительно варьируется в зависимости от конфигурации схемы, как показано на рисунке ниже. Оно также зависит от смещения. Здесь не учитывается, что входной импеданс является комплексной величиной и зависит от частоты. Для...
Добавлено23 января 2018 в 04:43

Обратная связь (биполярные транзисторы)

Если на вход усилителя подается некоторая часть его выходного сигнала, так что усилитель усиливает часть собственного выходного сигнала, то мы имеем так называемую обратную связь. Обратная связь бывает двух типов: положительная (так называемая регенеративная)...
Добавлено1 января 2018 в 19:25

Подключение входа и выхода (биполярные транзисторы)

Чтобы решить проблему создания необходимого постоянного напряжения смещения для входного сигнала усилителя, не прибегая к установке батареи последовательно с источником сигнала переменного напряжения, мы использовали делитель напряжения, подключенный...
Добавлено23 октября 2017 в 00:45

Расчет смещения (биполярные транзисторы)

Хотя транзисторные коммутационные схемы работают без смещения, для аналоговых схем работать без смещения – это необычно. Одним из немногих примеров является радиоприемник на одном транзисторе в разделе «Радиочастотные схемы» главы 9...
Добавлено17 октября 2017 в 18:30

Методы смещения (биполярные транзисторы)

В разделе данной главы про схему усилителя с общим эмиттером мы видели результаты SPICE анализа, где выходной сигнал был похож по форме на сигнал на выходе полуволнового выпрямителя: воспроизводилась только одна полуволна входного сигнала, а вторая полностью...
Добавлено16 октября 2017 в 20:36

Каскодный усилитель

Хотя усилитель с ОБ (с общей базой) известен большей широкополосностью по сравнению со схемой с ОЭ (с общим эмиттером), для многих приложений низкое входное сопротивление (десятки Ом) схемы с ОБ является ограничением. Решение заключается в том, чтобы...
Добавлено6 октября 2017 в 12:14

Усилительный каскад с общей базой

Последний тип схемы усилителя на биполярном транзисторе (рисунок ниже), который мы должны изучить, это схема с общей базой. Эта конфигурация сложнее двух предыдущих и менее распространена из-за своих странных рабочих характеристик. Усилитель...
Добавлено5 октября 2017 в 18:40

Усилительный каскад с общим коллектором

Наш следующий в изучении тип включения транзистора немного проще для вычисления коэффициентов усиления. Так называемая схема с общим коллектором показана на рисунке ниже. В схеме с общим коллектором и вход, и выход используют коллектор (стрелками...
Добавлено5 октября 2017 в 00:20

Усилительный каскад с общим эмиттером

В начале этой главы мы увидели, как транзисторы, работая в режиме либо «насыщения», либо «отсечки», могут использоваться в качестве ключей. В последнем разделе мы увидели, как транзисторы ведут себя в своих «активных»...
Добавлено30 сентября 2017 в 15:13

Активный режим работы биполярного транзистора

Когда транзистор находится в полностью выключенном (закрытом) состоянии (как разомкнутый ключ), говорится, что он в режиме отсечки. И наоборот, когда он полностью проводит ток между эмиттером и коллектором (пропускает ток такой величины, какую могут позволить...
Добавлено27 сентября 2017 в 07:35

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Биполярные транзисторы построены из трехслойного полупроводникового «сэндвича» либо NPN, либо PNP. Как таковые транзисторы при проверке мультиметром в режиме «сопротивление» или «проверка диода», как показано на рисунке...
Добавлено1 сентября 2017 в 07:00

Биполярный транзистор как ключ (БТ, BJT)

Поскольку коллекторный ток транзистора пропорционально ограничен его током базы, то транзистор можно использовать как своего рода ключ с токовым управлением. Относительно небольшой поток электронов, передаваемых через базу транзистора, обладает способностью...
Добавлено29 августа 2017 в 19:10

Введение в биполярные транзисторы (BJT)

Изобретение биполярного транзистора (БТ, BJT) в 1948 году привело к революции в электронике. Технические трюки, ранее требующие относительно больших, механически хрупких, потребляющих много энергии вакуумных ламп, неожиданно достигались с помощью крошечных,...
Добавлено11 августа 2017 в 20:10

SPICE модели диодов

Программа моделирования схем SPICE в процессе моделирование работы схем обеспечивает и моделирование работы диодов. Модели диодов основаны на характеристиках отдельных устройств, описанных в технических описаниях на конкретные продукты, и характеристиках...
Добавлено5 августа 2017 в 11:35

Другие диодные технологии

Технология OLED SiC диоды Диоды, изготовленные из карбида кремния, способны работать при высоких температурах до 400°C. Это может быть работа в высокотемпературной среде: каротаж нефтяных скважин, газотурбинные двигатели, двигатели автомобилей....
Добавлено22 июля 2017 в 10:10

Другие специальные типы диодов

Варикапы или варакторы Диод с переменной емкостью известен как варикап или варактор. Если диод смещен в обратном направлении, между двумя полупроводниковыми слоями образуется изолирующая обедненная область. Во многих диодах толщина обедненной...
Добавлено4 июля 2017 в 08:00

Солнечные элементы

Фотодиод, оптимизированный для эффективного питания нагрузки, является солнечным элементом. Он работает в фотогальваническом режиме, так как он смещен в прямом направлении напряжением, создаваемым на сопротивлении нагрузки. Монокристаллические...