По тегу «Биполярный транзистор» найдено постов: 30
посты 1 – 30

Добавлено 22 февраля 2021 в 17:22
Введение в фототранзисторы
В данной серии статей мы рассмотрим альтернативы фотодиодам, обеспечивающие более высокий выходной ток. По моему опыту, в приложениях для детектирования и измерения освещенности чаще всего используются фотодиоды. Но нельзя обойти стороной тот факт,...
Добавлено 16 ноября 2020 в 06:27
Типы и применение токовых зеркал
Токовое зеркало является важным аналоговым строительным блоком, который находит применение в таких различных областях, как смещение по постоянному току и обработка сигналов в токовом режиме. Узнайте больше об аналоговом проектировании из этого введения...
Добавлено 24 февраля 2020 в 17:53
Быстрый анализ схем ключей/драйверов на биполярном транзисторе
В данном кратком техническом обзоре объясняется быстрая и простая процедура оценки схемы ключа/драйвера на базе биполярного NPN транзистора. Вспомогательная информация Введение в биполярные транзисторы (BJT) Распространение Arduino, Raspberry...
Добавлено 28 января 2020 в 20:46
Простой операционный усилитель на дискретных элементах
Компоненты и материалы источник постоянного напряжения 12 В (на схеме вместо него используются две 6-вольтовые батареи); четыре NPN транзистора (рекомендуются модели 2N2222 или 2N3403); два PNP транзистора (рекомендуются модели 2N2907 или 2N3906); два...
Добавлено 27 января 2020 в 07:22
Дифференциальный усилитель
Компоненты и материалы источник постоянного напряжения 12 В (на схеме вместо него используются две 6-вольтовые батареи); два NPN транзистора (рекомендуются модели 2N2222 или 2N3403); два потенциометра 10 кОм, однооборотные, линейные; два резистора...
Добавлено 3 января 2020 в 18:40
Как собрать схему токового зеркала
Компоненты и материалы два NPN-транзистора – рекомендуются модели 2N2222 или 2N3403; источник питания 12 В постоянного напряжения (на схемах вместо него используется два аккумулятора по 6 вольт); один потенциометр 10 кОм, однооборотный; два...
Добавлено 8 октября 2019 в 06:52
Как буферизовать выход операционного усилителя для получения более высокого тока, часть 2
В данной статье мы рассмотрим два варианта базовой схемы на биполярных транзисторах для буферизации тока. Вспомогательная информация Введение в операционные усилители Аудиоусилитель класса B Предыдущая статья Как буферизовать выход...
Добавлено 7 октября 2019 в 22:43
Аудиоусилитель класса B
Компоненты и материалы двуполярный источник питания ±12 В (на схемах вместо него используются четыре аккумулятора по 6 вольт); двойной операционный усилитель, рекомендуется модель TL082; один мощный NPN транзистор в корпусе TO-220; один...
Добавлено 6 октября 2019 в 14:03
Как буферизовать выход операционного усилителя для получения более высокого тока, часть 1
Вы можете значительно увеличить выходной ток операционного усилителя (ОУ), добавив в схему чуть более, чем один биполярный транзистор. Вспомогательная информация Введение в операционные усилители Нужна ли нам схема с буферизацией тока? Операционные...
Добавлено 17 сентября 2018 в 21:34
IGBT транзисторы
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Из-за своих изолированных затворов IGFET транзисторы всех типов имеют чрезвычайно высокий коэффициент усиления по току: не может быть устойчивого тока затвора, если нет замкнутой цепи затвора,...
Добавлено 9 апреля 2018 в 12:49
Как контролировать ток с помощью операционного усилителя, биполярного транзистора и трех резисторов
Данная статья объясняет работу умной схемы, которая точно измеряет ток источника питания. Прежде всего, я должен признать, что заголовок немного вводит в заблуждение. Схема, представленная в данной статье, действительно требует только операционного...
Добавлено 26 февраля 2018 в 07:18
Особенности биполярных транзисторов
Идеальный транзистор будет показывать нулевые искажения при усилении сигнала. Его коэффициент усиления будет одинаков на всех частотах. Он будет работать с токами в сотни ампер при температурах в сотни градусов Цельсия. На практике, доступные устройства...
Добавлено 16 февраля 2018 в 07:56
Параметры и корпуса биполярных транзисторов
Как и все электрические и электронные компоненты, транзисторы имеют ограничения по напряжению и току, при которых они могут работать без повреждений. Поскольку транзисторы более сложны, чем некоторые другие компоненты, они, как правило, имеют больше видов...
Добавлено 2 февраля 2018 в 13:15
Токовые зеркала (биполярные транзисторы)
Часто используемой схемой на биполярных транзисторах является так называемое токовое зеркало, которые служит в качестве простого стабилизатора тока, обеспечивающего почти неизменный ток через нагрузку в широком диапазоне сопротивлений нагрузки. Мы...
Добавлено 26 января 2018 в 06:04
Входное и выходное сопротивления усилителя (БТ, BJT)
Входное сопротивление усилителя значительно варьируется в зависимости от конфигурации схемы, как показано на рисунке ниже. Оно также зависит от смещения. Здесь не учитывается, что входной импеданс является комплексной величиной и зависит от частоты. Для...
Добавлено 23 января 2018 в 04:43
Обратная связь (биполярные транзисторы)
Если на вход усилителя подается некоторая часть его выходного сигнала, так что усилитель усиливает часть собственного выходного сигнала, то мы имеем так называемую обратную связь. Обратная связь бывает двух типов: положительная (так называемая регенеративная)...
Добавлено 1 января 2018 в 19:25
Подключение входа и выхода (биполярные транзисторы)
Чтобы решить проблему создания необходимого постоянного напряжения смещения для входного сигнала усилителя, не прибегая к установке батареи последовательно с источником сигнала переменного напряжения, мы использовали делитель напряжения, подключенный...
Добавлено 23 октября 2017 в 00:45
Расчет смещения (биполярные транзисторы)
Хотя транзисторные коммутационные схемы работают без смещения, для аналоговых схем работать без смещения – это необычно. Одним из немногих примеров является радиоприемник на одном транзисторе в разделе «Радиочастотные схемы» главы 9...
Добавлено 17 октября 2017 в 18:30
Методы смещения (биполярные транзисторы)
В разделе данной главы про схему усилителя с общим эмиттером мы видели результаты SPICE анализа, где выходной сигнал был похож по форме на сигнал на выходе полуволнового выпрямителя: воспроизводилась только одна полуволна входного сигнала, а вторая полностью...
Добавлено 16 октября 2017 в 20:36
Каскодный усилитель
Хотя усилитель с ОБ (с общей базой) известен большей широкополосностью по сравнению со схемой с ОЭ (с общим эмиттером), для многих приложений низкое входное сопротивление (десятки Ом) схемы с ОБ является ограничением. Решение заключается в том, чтобы...
Добавлено 6 октября 2017 в 12:14
Усилительный каскад с общей базой
Последний тип схемы усилителя на биполярном транзисторе (рисунок ниже), который мы должны изучить, это схема с общей базой. Эта конфигурация сложнее двух предыдущих и менее распространена из-за своих странных рабочих характеристик. Усилитель...
Добавлено 5 октября 2017 в 18:40
Усилительный каскад с общим коллектором
Наш следующий в изучении тип включения транзистора немного проще для вычисления коэффициентов усиления. Так называемая схема с общим коллектором показана на рисунке ниже. В схеме с общим коллектором и вход, и выход используют коллектор (стрелками...
Добавлено 5 октября 2017 в 00:20
Усилительный каскад с общим эмиттером
В начале этой главы мы увидели, как транзисторы, работая в режиме либо «насыщения», либо «отсечки», могут использоваться в качестве ключей. В последнем разделе мы увидели, как транзисторы ведут себя в своих «активных»...
Добавлено 30 сентября 2017 в 15:13
Активный режим работы биполярного транзистора
Когда транзистор находится в полностью выключенном (закрытом) состоянии (как разомкнутый ключ), говорится, что он в режиме отсечки. И наоборот, когда он полностью проводит ток между эмиттером и коллектором (пропускает ток такой величины, какую могут позволить...
Добавлено 27 сентября 2017 в 07:35
Проверка биполярного транзистора мультиметром
Биполярные транзисторы построены из трехслойного полупроводникового «сэндвича» либо NPN, либо PNP. Как таковые транзисторы при проверке мультиметром в режиме «сопротивление» или «проверка диода», как показано на рисунке...
Добавлено 1 сентября 2017 в 07:00
Биполярный транзистор как ключ (БТ, BJT)
Поскольку коллекторный ток транзистора пропорционально ограничен его током базы, то транзистор можно использовать как своего рода ключ с токовым управлением. Относительно небольшой поток электронов, передаваемых через базу транзистора, обладает способностью...
Добавлено 29 августа 2017 в 19:10
Введение в биполярные транзисторы (BJT)
Изобретение биполярного транзистора (БТ, BJT) в 1948 году привело к революции в электронике. Технические трюки, ранее требующие относительно больших, механически хрупких, потребляющих много энергии вакуумных ламп, неожиданно достигались с помощью крошечных,...
Добавлено 7 января 2017 в 08:50
Полупроводниковые приборы в SPICE
Программа моделирования электронных схем SPICE («simulation program, integrated circuit emphesis») предоставляет для полупроводниковых приборов элементы схем и модели. Имена элементов в SPICE начинаются с букв d, q, j или m, что соответствует...
Добавлено 17 ноября 2016 в 07:45
Технологии производства полупроводниковых приборов
Поскольку большинство полупроводниковых приборов являются кремниевыми, в данном разделе описывается производство полупроводниковых приборов только на основе кремния. Кремний является наиболее подходящим материалом для интегральных микросхем, потому что...
Добавлено 21 октября 2016 в 17:45
Биполярные транзисторы
Биполярный транзистор был назван так, потому что его работа предполагает движение двух носителей заряда: электронов и дырок в одном и том же кристалле. Первый биполярный транзистор был изобретен в Bell Labs Уильямом Шокли, Уолтером Браттейном и Джоном...