По тегу «Полевой транзистор» найдено постов: 11
посты 1 – 11

Добавлено 30 января 2020 в 19:34
Базовая схема дифференциальной пары на MOSFET транзисторах
В данной статье мы рассмотрим наиболее простую версию этой базовой схемы усилителя, применяемой в интегральных микросхемах. Вспомогательная информация Схемы на дискретных полупроводниковых компонентах: Дифференциальный усилитель Схемы на дискретных...
Добавлено 17 сентября 2018 в 21:34
IGBT транзисторы
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Из-за своих изолированных затворов IGFET транзисторы всех типов имеют чрезвычайно высокий коэффициент усиления по току: не может быть устойчивого тока затвора, если нет замкнутой цепи затвора,...
Добавлено 21 июля 2018 в 10:06
Полевые транзисторы с изолированным затвором со встроенным каналом
Полевые транзисторы с изолированным затвором (IGFET) – это однополярные устройства, как и обычные полевые транзисторы (JFET): то есть управляемый ток не должен проходить через PN переход. В транзисторе имеется PN переход, но его единственное назначение...
Добавлено 19 июля 2018 в 22:22
Введение в полевые транзисторы с изолированным затвором
Как было сказано в предыдущей главе, существует более одного типа полевых транзисторов. Полевой транзистор (или ПТ, JFET) использует напряжение, приложенное к PN переходу, смещенному в обратном направлении, для управления шириной обедненной области этого...
Добавлено 12 мая 2018 в 16:52
Активный режим работы полевого транзистора
Полевые транзисторы (JFET), как и биполярные транзисторы, способны «удерживать» ток в режиме между отсечкой и насыщением, называемом активным режимом. Чтобы лучше понять работу полевого транзистора, давайте проведем моделирование в SPICE,...
Добавлено 10 апреля 2018 в 13:11
Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра
Тестирование полевого транзистора (JFET) с помощью мультиметра может показаться относительно простой задачей, поскольку может показаться, что в нем для проверки есть только один PN переход: измеряется либо между затвором и истоком, либо между затвором...
Добавлено 5 апреля 2018 в 07:38
Полевой транзистор как коммутатор (JFET)
Как и биполярный родственник, полевой транзистор может использоваться в качестве коммутатора вкл/выкл, управляющего подачей питания на нагрузку. Давайте начнем исследование использование полевого транзистора в качестве коммутатора со знакомой схемы включения...
Добавлено 24 марта 2018 в 15:35
Введение в полевые транзисторы (JFET)
Транзистор представляет собой линейное полупроводниковое устройство, которое управляет током с помощью электрического сигнала меньшей мощности. Транзисторы можно грубо сгруппировать в два основных типа: биполярные и полевые. В предыдущей главе мы изучили...
Добавлено 7 января 2017 в 08:50
Полупроводниковые приборы в SPICE
Программа моделирования электронных схем SPICE («simulation program, integrated circuit emphesis») предоставляет для полупроводниковых приборов элементы схем и модели. Имена элементов в SPICE начинаются с букв d, q, j или m, что соответствует...
Добавлено 4 ноября 2016 в 22:00
Полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET)
Полевой транзистор с изолированным затвором (IGFET, insulated-gate field-effect transistor), также известный, как полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET), является разновидностью полевого транзистора. В настоящее время большинство...
Добавлено 28 октября 2016 в 18:00
Полевые транзисторы
Полевой транзистор был предложен Юлиусом Лилиенфельдом в патентное бюро США в 1926 и 1933 годах (1,900,018). Кроме того, Шокли, Браттейн и Бардин также исследовали полевой транзистор в 1947 году, но из-за трудностей отвлеклись на работу над биполярным...