По тегу «Модуляция длины канала» найдено постов: 4
посты 1 – 4

Добавлено 28 февраля 2020 в 00:21
Модуляция длины канала MOSFET транзистора
В данном кратком техническом обзоре описывается модуляция длины канала и то, как она влияет на вольт-амперные характеристики MOSFET транзистора. Вспомогательная информация Полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) Примечание:...
Добавлено 24 февраля 2020 в 14:28
Дифференциальная пара на MOSFET транзисторах с активной нагрузкой: измерение лямбды, прогнозирование усиления
В данной статье мы рассмотрим формулу для дифференциального усиления и используем LTspice, чтобы найти значение параметра модуляции длины канала, называемого лямбда (λ). Вспомогательная информация Схемы на дискретных полупроводниковых...
Добавлено 19 февраля 2020 в 22:19
Дифференциальная пара на MOSFET транзисторах с активной нагрузкой: выходное сопротивление
В данной статье мы обсудим выходное сопротивление MOSFET транзисторов для малых сигналов, а также спрогнозируем коэффициент усиления дифференциальной пары с активной нагрузкой. Вспомогательная информация Схемы на дискретных полупроводниковых...
Добавлено 4 января 2020 в 22:18
Базовая схема источника стабилизированного тока на MOSFET транзисторах
Рассмотрим простую версию схемы, которая имеет важное значение в разработке аналоговых интегральных микросхем. Вспомогательная информация Биполярные транзисторы: токовые зеркала Схемы на дискретных полупроводниковых элементах: токовое зеркало Полевые...