По тегу «IGFET / МДП транзистор (полевой транзистор с изолированным затвором)» найдено постов: 3
посты 1 – 3

Добавлено 17 сентября 2018 в 21:34
IGBT транзисторы
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Из-за своих изолированных затворов IGFET транзисторы всех типов имеют чрезвычайно высокий коэффициент усиления по току: не может быть устойчивого тока затвора, если нет замкнутой цепи затвора,...
Добавлено 21 июля 2018 в 10:06
Полевые транзисторы с изолированным затвором со встроенным каналом
Полевые транзисторы с изолированным затвором (IGFET) – это однополярные устройства, как и обычные полевые транзисторы (JFET): то есть управляемый ток не должен проходить через PN переход. В транзисторе имеется PN переход, но его единственное назначение...
Добавлено 19 июля 2018 в 22:22
Введение в полевые транзисторы с изолированным затвором
Как было сказано в предыдущей главе, существует более одного типа полевых транзисторов. Полевой транзистор (или ПТ, JFET) использует напряжение, приложенное к PN переходу, смещенному в обратном направлении, для управления шириной обедненной области этого...