По тегу «PN переход» найдено постов:12
посты1 –12

Добавлено1 января 2020 в 14:59

Фотопроводящий и фотоэлектрический режимы работы фотодиодов

В данной статье мы рассмотрим преимущества двух типов реализации схем на фотодиодах. Когда следует использовать фотоэлектрический и фотопроводящий режимы при установке фотодиодов в электрические схемы? В данной статье мы обсудим подробности этих режимов...
Добавлено1 января 2020 в 13:00

Физика работы светочувствительных PN-переходов

В данной статье мы углубимся в физику полупроводников, чтобы лучше понять работу фотодиодов. Данная статья является второй частью в серии о фотодиодах, устройствах, которые создают электрические сигналы в ответ на окружающее освещение, лазерные сигналы...
Добавлено1 января 2020 в 04:46

Введение в фотодиоды: природа света и PN-переходы

Рассмотрим, как полупроводниковые устройства взаимодействуют с электромагнитным излучением, чтобы обеспечить электронное обнаружение видимого света, ультрафиолетового и инфракрасного излучения. Фотодиоды – это измерительные устройства, которые...
Добавлено3 января 2020 в 18:40

Как собрать схему токового зеркала

Компоненты и материалы два NPN-транзистора – рекомендуются модели 2N2222 или 2N3403; источник питания 12 В постоянного напряжения (на схемах вместо него используется два аккумулятора по 6 вольт); один потенциометр 10 кОм, однооборотный; два...
Добавлено10 апреля 2018 в 13:11

Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра

Тестирование полевого транзистора (JFET) с помощью мультиметра может показаться относительно простой задачей, поскольку может показаться, что в нем для проверки есть только один PN переход: измеряется либо между затвором и истоком, либо между затвором...
Добавлено24 марта 2018 в 15:35

Введение в полевые транзисторы (JFET)

Транзистор представляет собой линейное полупроводниковое устройство, которое управляет током с помощью электрического сигнала меньшей мощности. Транзисторы можно грубо сгруппировать в два основных типа: биполярные и полевые. В предыдущей главе мы изучили...
Добавлено27 сентября 2017 в 07:35

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Биполярные транзисторы построены из трехслойного полупроводникового «сэндвича» либо NPN, либо PNP. Как таковые транзисторы при проверке мультиметром в режиме «сопротивление» или «проверка диода», как показано на рисунке...
Добавлено29 августа 2017 в 19:10

Введение в биполярные транзисторы (BJT)

Изобретение биполярного транзистора (БТ, BJT) в 1948 году привело к революции в электронике. Технические трюки, ранее требующие относительно больших, механически хрупких, потребляющих много энергии вакуумных ламп, неожиданно достигались с помощью крошечных,...
Добавлено17 ноября 2016 в 07:45

Технологии производства полупроводниковых приборов

Поскольку большинство полупроводниковых приборов являются кремниевыми, в данном разделе описывается производство полупроводниковых приборов только на основе кремния. Кремний является наиболее подходящим материалом для интегральных микросхем, потому что...
Добавлено28 октября 2016 в 18:00

Полевые транзисторы

Полевой транзистор был предложен Юлиусом Лилиенфельдом в патентное бюро США в 1926 и 1933 годах (1,900,018). Кроме того, Шокли, Браттейн и Бардин также исследовали полевой транзистор в 1947 году, но из-за трудностей отвлеклись на работу над биполярным...
Добавлено21 октября 2016 в 17:45

Биполярные транзисторы

Биполярный транзистор был назван так, потому что его работа предполагает движение двух носителей заряда: электронов и дырок в одном и том же кристалле. Первый биполярный транзистор был изобретен в Bell Labs Уильямом Шокли, Уолтером Браттейном и Джоном...
Добавлено12 июня 2016 в 17:00

P-N переход

Если блок полупроводника P-типа соединить с блоком полупроводника N-типа (рисунок ниже (a)), результат не будет иметь никакого значения. У нас будут два проводящих блока соприкасающихся друг с другом, не проявляя никаких уникальных свойств. Проблема заключается...